semico相关论文
Two SbX5-based isostructural polar 1D hybrid antimony halides with tunable broadband emission,nonlin
Metal halide perovskites based on MX6 (M is metal and X is halogen) octahedra have been developed into significant mater......
The hybrid encapsulation for flexible organic light-emitting devices on plastic substrate was investi- gated. The hybrid......
A high temperature sensor based on the multi-parameter temperature dependent characteristic of photoluminescence(PL)of q......
Research progress of low-dimensional perovskites: synthesis, properties and optoelectronic applicati
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
In situ potential mapping of space charge (SC) layer in a single GaN nanowire (NW) contacted to the Au metal electrode h......
在半导体光放大器中当光脉冲小于10 ps时除了考虑线性增益饱和效应,还必须考虑超快增益压缩效应.本文用数值方法分析了超快增益压......
为了深入理解在纳秒激光烧蚀半导体材料过程中背景气压对烧蚀过程以及羽流膨胀动力学特性的影响,本文利用一维激光烧蚀和流体动力......
A Novel Investigation on Using Strain in Barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP Uncooled Multiple Quantum W
<正> In this study we investigate strain effect in barriers of 1.3 μm AlGaInAs-InP uncooled multiple quantum welllasers......
通过固相法制备了施主掺杂的（Ba，Pb）TiO3半导体陶瓷，研究了掺杂对（Ba，Pb）TiO3陶瓷的物理性能、显微结构、电畴结构及半导化机理的影响。结......
市场分析公司Semico Research最近预计，foundry场今后五年将有超过25％的年复合增长率(CAGR)。尽管半导体市场的持续低迷给foundry厂......
n-Si (111 ) 表面跟踪 -C2H5,-C2H4COOH,-C2H2COOH 被反应在 Si-H 之中准备到 ethyl-Grignard，甲基压克力吃了，丙酸乙酯，和 carboxyls......
利用能量较低的脉冲激光二极管，在较高场强下触发GaAs光导开关，使其工作于雪崩模式，从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs 光导开......
讨论了在约化条件下，比平凡扩张更广泛的一类扩张环的半交换性．通过给出半交换模的定义，得到平凡扩张是半交换环的一个充要条件．......
对模糊自适应共振理论（FART）神经网络进行改进，使用改进的FART神经网络对半导体生产线晶圆合格率进行在线检测，对晶圆合格率特征向量进......
这篇论文在不对称的夫妇量调查连续变量的纠纷的产生和进化很好(CQW ) 系统。我们的数字结果证明这个 CQW 系统能在洞域的大量起始......
利用色散补偿光纤（ＤＣＦ）及色散位移光纤（ＣＳＦ）压缩重复频率为２．５ＧＨｚ的增益开关量子阱ＤＦＢ半导体激光器出射的光脉冲，将光脉冲由５３．８ｐｓ压缩至２．５ｐｓ，而后利用色散渐减光纤......
以SnCl4和TAA为Sn源和S源,在盐酸溶液中通过微波辐射加热合成了SnS2半导体纳米粒子,并用XRD、TEM进行了表征.......
采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂......
本文研制出多触头微波探针，建立了微波探针在片检测系统，针对ＧａＡｓ高速集成电路－动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选。......
借助于电学测量和低温红外分析技术，研究了微氮硅单昌中新施主的形成特性在６５０℃长时间热处理后，微氮硅单晶不产生新施主，其中氮破坏了新......
本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要 结构参数与远场垂直发射角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°－３０°垂直发散角的有......
讨论了2005/2010年的全球半导体市场、半导体工艺、半导体设备和中国半导体产业.同时,还介绍了ITRS2001、摩尔定律对2005/2010年全......
使用稀土铒作为吸杂剂可以有效地减少背景载流子浓度达一个数量级以上，和传统工艺条件相比生长溶液的烘烤时间从６０－７０小时减至３－４时间，同时获......
位于Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近的个有长时间常数的载流陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响。根据笔者建立的双极晶体管表面１／ｆ噪声分析模型，通过测量......
由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结......
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半导体可饱和吸收镜(SESAM)在飞秒脉冲激光器锁模中,是一种非常有潜力的锁模启动器.其损伤阈值的高低与连续锁模阈值比较相近,极易......
The influence of intermixing heterogeneous regions that have different electrical properties from the base materials on ......
