In situ potential mapping of space charge (SC) layer in a single GaN nanowire (NW) contacted to the Au metal electrode h......

在半导体光放大器中当光脉冲小于10 ps时除了考虑线性增益饱和效应,还必须考虑超快增益压缩效应.本文用数值方法分析了超快增益压......

为了深入理解在纳秒激光烧蚀半导体材料过程中背景气压对烧蚀过程以及羽流膨胀动力学特性的影响,本文利用一维激光烧蚀和流体动力......

通过固相法制备了施主掺杂的（Ba，Pb）TiO3半导体陶瓷，研究了掺杂对（Ba，Pb）TiO3陶瓷的物理性能、显微结构、电畴结构及半导化机理的影响。结......

市场分析公司Semico Research最近预计，foundry场今后五年将有超过25％的年复合增长率(CAGR)。尽管半导体市场的持续低迷给foundry厂......

利用能量较低的脉冲激光二极管，在较高场强下触发GaAs光导开关，使其工作于雪崩模式，从而产生纳秒上升前沿的快脉冲电压。GaAs 光导开......

讨论了在约化条件下，比平凡扩张更广泛的一类扩张环的半交换性．通过给出半交换模的定义，得到平凡扩张是半交换环的一个充要条件．......

对模糊自适应共振理论（FART）神经网络进行改进，使用改进的FART神经网络对半导体生产线晶圆合格率进行在线检测，对晶圆合格率特征向量进......

以SnCl4和TAA为Sn源和S源,在盐酸溶液中通过微波辐射加热合成了SnS2半导体纳米粒子,并用XRD、TEM进行了表征.......

采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂......